1
دانشجوی مقطع کارشناسی، دانشگاه افسری امام علی (ع)، تهران، ایران.
2
استادیار و عضو هیات علمی گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه افسری امام علی (ع)، تهران، ایران.
چکیده
نیترید گالیم (GaN)از مواد اپتوالترونیکی است که کاربردهای فراوانی در عرصه الکترونیک دارد. در این تحقیق روش ساخت نانوساختار GaN روی زیرلایه Si به روش رسوب بخار شیمیایی به کمک پلاسما (PACVD) بررسی شده و خواص این نانوساختار مورد ارزیابی قرار گرفته است. پیشماده مورد استفاده ترکیبGaCl3 و گاز H2، N2و Ar بود. از پلاسما برای بهینهسازی لایهنشانی در موارد مختلف استفاده شد. سازوکار رشد خصوصیات مورفولوژیکی و ساختار نانوساختار GaN رشد یافته روی زیرلایه Si با استفاده از دستگاه تصویربردای FE-SEM و GIXRD بررسی و ساختاری بلوری از ترکیب GaN در دمای 520 مشاهده شده است.
